Memoria RAM

La memoria RAM es la memoria de acceso aleatorio o directo; es decir, el tiempo de acceso a una celda de la memoria no depende de la ubicación física de la misma se tarda el mismo tiempo en acceder a cualquier celda dentro de la memoria. Son llamadas también memorias temporales o memorias de lectura y escritura. En este tipo particular de Memoria es posible leer y escribir a voluntad. La Memoria RAM está destinada a contener los programas cambiantes del usuario y los datos que se vayan necesitando durante la ejecución y reutilizable, y su inconveniente radica en la volatilidad al contratarse el suministro de corriente; si se pierde la alimentación eléctrica, la información presente en la memoria también se pierde, Por este motivo, surge la necesidad de una memoria que permanentemente, guarde los archivos y programas del usuario que son necesarios para mantener el buen funcionamiento del sistema que en se ejecute en la misma.
La memoria RAM nace por esta necesidad, con la característica principal de ser una memoria de sólo lectura, y por lo tanto, permanente que sólo permite la lectura del usuario y no puede ser reescrita.

Memoria ROM.

Son memorias de una sola lectura.No pierden información aunque se interrumpa la alimentación.Tipos: ROM, PROM (OTP ROM), EPROM, EEPROM (FLASH). Las memorias ROM se programan en fábrica y no es posible modificar su contenido.Las memorias PROM contienen una matriz de fusibles que es programable por el usuario una sola vez.Las EPROM permiten su reprogramación después de someter al chip a un proceso de borrado por radiación ultravioleta.Las EEPROM permiten su reprogramación eléctrica. Las FLASH EEPROM son más rápidas porPermitir borrado y escritura por bloques aunque tienen el inconveniente del desgaste (10.00090.000 borrados).

Memoria ROM de Máscara

Esta memoria se conoce simplemente como ROM y se caracteriza porque la información contenida en su interior se almacena durante su construcción y no se puede alterar. Son memorias ideales para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversión y caracteres.Generalmente estas memorias utilizan transistores MOS para representar los dos estados lógicos (1 ó 0). La programación se desarrolla mediante el diseño de un negativo fotográfico llamado máscara donde se especifican las conexiones internas de la memoria. En la figura 10.3.1 se muestra la celda de memoria de una ROM de este tipo, en tecnologías TTL y MOS.

Memoria OTP

La memoria de programa, que puede ser una EPROM, no dispone de ventana para el borrado por lo que sólo se puede programar una vez La memoria flashEs una forma desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo.

PUERTOS DE ENTRADA / SALIDA EN UN MICROCONTROLADOR

Cualquier aplicación de un sistema digital basado en un microprocesador omicrocontrolador requiere la transferencia de datos entre circuitos externos almicroprocesador y él mismo. Estas transferencias constituyen las operacionesllamadas ENTRADA y SALIDA, (input /output ) o ES ( I/O).Los puertos de entrada/salida son básicamente registros externos o internos.Algunos microprocesadores proporcionan señales de control que permiten quelos registros externos que forman los puertos de E/S ocupen un espacio dedirecciones separada, es decir, distinto del espacio de direcciones de los registrosexternos que componen la memoria. Cuando los puertos tienen asignado unespacio de direcciones separado, se dice que están en modo deENTRADA/SALIDA AISLADA o E/S ESTÁNDAR. Por el contrario, cuandose ubican dentro del mismo espacio que la memoria, se dice que están en modode ENTRADA/SALIDA MAPEADA A MEMORIA o PROYECTADA ENMEMORIA.

5 tipos de osciladores:

XT. Cristal de cuarzo (100kHz-4MHz)RC.

Oscilador con resistencia y condensador (desde kHz a MHz)HS.

Cristal de alta velocidad (4MHz-20MHz)LP.

Cristal para baja frecuencia y bajo consumo de potencia (32kHz-200kHz)Externa.

Cuando se aplica una señal de reloj externa.